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IXTH16P60P
IXTT16P60P
-20
-18
-16
Fig. 7. Input Admittance
32
28
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
-14
24
25oC
-12
-10
-8
T J = 125oC
25oC
- 40oC
20
16
12
125oC
-6
8
-4
-2
0
4
0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-50
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-45
-40
-35
-30
-25
-9
-8
-7
-6
-5
V DS = - 300V
I D = - 8A
I G = -1mA
-20
-15
-10
-5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-4
-3
-2
-1
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
- 100.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
1,000
Ciss
Coss
- 10.0
R DS(on) Limit
DC
100ms
1ms
100μs
100
10
f = 1 MHz
Crss
- 1.0
- 0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
10ms
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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